产品中止

2SD2382

规格书(703KB)


封装图

封装名：TO220F-3L

3D CAD数据

树脂硅功率晶体管

特性

    ・直流电流放大率高（连接达林顿）
    ・C-B 间内置齐纳二极管
    ・集电极-发射极之间的饱和电压低。

应用

    ・电源

主要规格

用途 通用
VCBO 65 V
VCEO 65 V
IC (-) -6 A
IC (+) 6 A
PC 30.0 W
hFE (min.) 700
hFE (max.) 3000
hFE条件 VCE 1 V
hFE条件 IC 1.0 A
VCE(SAT) (max.) 0.15 V
配对
极性 NPN
钳位二极管 有
芯片分类 达林顿
质量 (Typ.) g

外形图

外形图

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