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FGA65A3H

规格书(1.0MB)


封装图

封装名：TO3PF-3L

FGA65A3H是650V Field Stop型的垂直沟道工艺的IGBT。
采用了独特的垂直构造减少了寄生容量，既实现低饱和压降，又减少了开关损耗。
IGBT的低损耗可以实现整机设备的高效率。

设计支持

相关资料

■应用手册
■其他

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特性

    ・低饱和电压
    ・高速开关
    ・内置FRD
    ・符合RoHS指令

应用

    ・PFC电路（DCM、CRM）

主要规格

VCES 650 V
IC 15 A
PD 72 W
VCE(SAT) (typ.) 1.90 V
VCE(SAT) (max.) 2.37 V
Qg 60.00 nC
极性 Nch
二极管内置 YES
VF 2.0 V
trr ns
质量 (Typ.) g

外形图

外形图

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