量产中

FKV550N

封装图

封装名:TO220F-3L

3D CAD数据

50V, 50A
硅 N 通道型,栅极保护二极管内置的MOSFET

特性

    ・大电流
    ・低RDS(ON)

应用

    ・用于DC/DC变换器同步整流

主要规格

VDS 50 V
VGSS ±20 V
ID (-) A
ID (+) 50 A
ID(PULSE) 150 A
PD 35.00 W
VTH (min.) 3.00 V
VTH (max.) 4.20 V
Ciss 2000 pF
Crss 500 pF
RDS(ON) (typ.) 12.0 mΩ
RDS(ON) (max.) 15.0 mΩ
极性 Nch
RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V)
RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V)
Coss 1200 pF
Qg nC
Qg(VGS=4.5) nC
trr1 ns
质量 (Typ.) 2 g

外形图

外形图

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