新規設計不推荐

FKV660S

封装图

封装名:TO220S-2L

硅 N 通道型 MOSFET

特性

    ・中耐压品。
    ・栅极输入电容容量低
    ・开关速度快

应用

    ・用于电机驱动
    ・用于变换器

主要规格

VDS 60 V
VGSS +20、-10 V
ID (-) -60 A
ID (+) 60 A
ID(PULSE) A
PD 60.00 W
VTH (min.) 1.00 V
VTH (max.) 2.50 V
Ciss 2500 pF
Crss 150 pF
RDS(ON) (typ.) 11.0 mΩ
RDS(ON) (max.) 14.0 mΩ
极性 Nch
RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V)
RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V)
Coss pF
Qg nC
Qg(VGS=4.5) nC
trr1 ns
质量 (Typ.) g

外形图

外形图

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