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MGD623N

规格书(283KB)


封装图

封装名：TO3P-3L

3D CAD数据

MGD623N是600V Trench型IGBT。
采用了独特的垂直构造减少了寄生容量，既实现低饱和压降，又减少了开关损耗。
IGBT的低损耗可以实现整机设备的高效率。

设计支持

相关资料

■应用手册
■其他

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特性

    ・低饱和电压
    ・高速开关
    ・内置FRD
    ・端子部无铅（符合RoHS指令）

应用

    ・微波炉
    ・IH电磁炉
    ・逆变器电路

主要规格

VCES 600 V
IC 37 A
PD 150 W
VCE(SAT) (typ.) 1.70 V
VCE(SAT) (max.) 2.30 V
Qg 65.00 nC
极性 Nch
二极管内置 YES
VF 1.2 V
trr 300.00 ns
质量 (Typ.) 6 g

外形图

外形图

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