产品中止

MGF65A4L

封装图

封装名:TO3P-3L

MGF65A4L是650V Field Stop型的垂直沟道工艺的IGBT。
采用了独特的垂直构造减少了寄生容量,既实现低饱和压降,又减少了开关损耗。
IGBT的低损耗可以实现整机设备的高效率。

特性

    ・低饱和电压
    ・高速开关
    ・内置FRD
    ・符合RoHS指令

应用

    ・不间断电源系统(UPS)
    ・变频电路)
    ・桥电路

主要规格

VCES 650 V
IC 40 A
PD 288 W
VCE(SAT) (typ.) 1.60 V
VCE(SAT) (max.) 1.96 V
Qg 75.00 nC
极性 Nch
二极管内置 YES
VF 1.7 V
trr 60.00 ns
质量 (Typ.) g

备注

650V Field Stop IGBTs
Suffix
H: High speed
L: Low saturation voltage

外形图

外形图

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