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FKV550N

データシート(381KB)


パッケージ図

パッケージ名：TO220F-3L

3D CADデータ

50V, 50A
シリコンNチャネル型ゲート保護ダイオード内蔵MOSFET

設計サポート

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特長

    ・大電流
    ・低RDS(ON)

アプリケーション

    ・DC/DCコンバータ
    ・同期整流

主要特性

VDS 50 V
VGSS ±20 V
ID (－) A
ID (＋) 50 A
ID(PULSE) 150 A
PD 35.0 W
VTH (min.) 3.00 V
VTH (max.) 4.20 V
Ciss 2000 pF
Crss 500 pF
RDS(ON) (typ.) 12.0 mΩ
RDS(ON) (max.) 15.0 mΩ
極性 Nch
RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V) mΩ
RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V) mΩ
Coss 1200 pF
Qg nC
Qg(VGS=4.5) nC
trr1 ns
質量 (Typ.) 2 g

外形図

外形図

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