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FKV550T

データシート(718KB)


パッケージ図

パッケージ名：TO220F-3L

3D CADデータ

シリコンNチャネル型MOSFET

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特長

    ・ゲート入力容量が低い
    ・ゲート入力電荷量が低い
    ・スイッチングスピードが速い

アプリケーション

    ・DC-DCコンバータ用

主要特性

VDS 50 V
VGSS ±20 V
ID (－) -50 A
ID (＋) 50 A
ID(PULSE) A
PD 35.0 W
VTH (min.) 1.00 V
VTH (max.) 2.50 V
Ciss 2700 pF
Crss 500 pF
RDS(ON) (typ.) 10.0 mΩ
RDS(ON) (max.) 13.0 mΩ
極性 Nch
RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V) mΩ
RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V) mΩ
Coss pF
Qg nC
Qg(VGS=4.5) nC
trr1 ns
質量 (Typ.) g

外形図

外形図

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