量産中

FKV575

パッケージ図

パッケージ名:TO220F-3L

3D CADデータ

シリコンNチャネル型MOSFET

特長

    ・ゲート入力容量が低い
    ・ゲート入力電荷量が低い
    ・スイッチングスピードが速い

アプリケーション

    ・DC-DCコンバータ用

主要特性

VDS 50 V
VGSS ±20 V
ID (-) -75 A
ID (+) 75 A
ID(PULSE) A
PD 40.0 W
VTH (min.) 3.00 V
VTH (max.) 4.50 V
Ciss 3200 pF
Crss 750 pF
RDS(ON) (typ.) 7.0 mΩ
RDS(ON) (max.) 10.0 mΩ
極性 Nch
RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V)
RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V)
Coss pF
Qg nC
Qg(VGS=4.5) nC
trr1 ns
質量 (Typ.) 2 g

外形図

外形図

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