新規設計非推奨

FKV660S

パッケージ図

パッケージ名:TO220S-2L

シリコンNチャネル型MOSFET

特長

    ・中耐圧品
    ・低ゲート入力容量
    ・高速スイッチング

アプリケーション

    ・モータ駆動用
    ・インバータ用

主要特性

VDS 60 V
VGSS +20、-10 V
ID (-) -60 A
ID (+) 60 A
ID(PULSE) A
PD 60.0 W
VTH (min.) 1.00 V
VTH (max.) 2.50 V
Ciss 2500 pF
Crss 150 pF
RDS(ON) (typ.) 11.0 mΩ
RDS(ON) (max.) 14.0 mΩ
極性 Nch
RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V)
RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V)
Coss pF
Qg nC
Qg(VGS=4.5) nC
trr1 ns
質量 (Typ.) g

外形図

外形図

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