量産中

MLD685D

パッケージ図

パッケージ名:TO3P-3L

3D CADデータ

シリコンNチャネル型MOSFET

アプリケーション

    ・電装品用

主要特性

VDS 60 V
VGSS ±20 V
ID (-) -85 A
ID (+) 85 A
ID(PULSE) A
PD 150.0 W
VTH (min.) 2.00 V
VTH (max.) 3.00 V
Ciss 11500 pF
Crss 1100 pF
RDS(ON) (typ.) 4.0 mΩ
RDS(ON) (max.) 4.7 mΩ
極性 Nch
RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V)
RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V)
Coss pF
Qg nC
Qg(VGS=4.5) nC
trr1 ns
質量 (Typ.) 6 g

外形図

外形図

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