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SKI10195

パッケージ図

パッケージ名:TO263-2L

シリコンNチャネル型MOSFET

特長

    低Qg・低オン抵抗
    高速スイッチングが可能
    4.5V駆動が可能

アプリケーション

    DC/DCコンバータ用
    同期整流用

主要特性

VDS 100 V
VGSS ±20 V
ID (-) A
ID (+) 47 A
ID(PULSE) 94 A
PD 116.0 W
VTH (min.) 1.00 V
VTH (max.) 2.50 V
Ciss 3990 pF
Crss 160 pF
RDS(ON) (typ.) 13.2 mΩ
RDS(ON) (max.) 18.4 mΩ
極性 Nch
RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V) 14 mΩ
RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V) 19.3 mΩ
Coss 300 pF
Qg 57.7 nC
Qg(VGS=4.5) 27.1 nC
trr1 49.2 ns
質量 (Typ.) g

外形図

外形図

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