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SHD4101
SHD4101は、4つの素子（シングルFRD、デュアルFRD、NチャネルパワーMOSFET×2）を小型HSONパッケージに内蔵しています。パワーMOSFETのゲート–ソース間には、ツェナーダイオードが内蔵されており、インジェクションコイルの駆動回路において、ゲート–ソース間に外付けのクランプ回路が不要です。高放熱パッケージの採用により、優れた放熱性を実現します。
特長
-
・高信頼性
・車載対応
・AEC-Q101準拠
・端子部Pbフリー（RoHS対応）
・高速リカバリーダイオード×2
(シングル：200 V/5 A、デュアル：200 V/3 A)
・NチャネルパワーMOSFET×2
(40 V/10 A、100 V/10 A)
・ゲート–ソース間にツェナーダイオード内蔵
アプリケーション
-
・インジェクションコイル駆動回路
主要特性
| ID | A |
|---|---|
| 概要 | Single FRD (200V/5A), Dual FRD (200V/3A), N-channel MOSFET×2 (40V/10A, 100V/10A) |
| 質量 (Typ.) | 0.4 g |
備考
SHD4101 Specifications| No. | Element | VRSM/VDSS | IF(AV)/ID |
|---|---|---|---|
| 1 | Fast Recovery Diode (Single) | 200 V | 5 A |
| 2 | Fast Recovery Diode (Dual) | 200 V | 3 A |
| 3 | N-channel Power MOSFET | 100 V | 10 A |
| 4 | N-channel Power MOSFET | 40 V | 10 A |
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