新規設計非推奨

2SK2803

パッケージ図

パッケージ名:TO220F-3L

3D CADデータ

シリコンNチャネル型MOSFET

特長

    ・高耐圧品
    ・低ゲート入力容量
    ・高速スイッチング

アプリケーション

    ・スイッチングレギュレータ用

主要特性

VDS 450 V
VGSS ±30 V
ID (-) -3 A
ID (+) 3 A
ID(PULSE) A
PD 30.0 W
VTH (min.) 2.00 V
VTH (max.) 4.00 V
Ciss 340 pF
Crss 26 pF
RDS(ON) (typ.) 2100.0 mΩ
RDS(ON) (max.) 2800.0 mΩ
極性 Nch
RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V)
RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V)
Coss pF
Qg nC
Qg(VGS=4.5) nC
trr1 ns
質量 (Typ.) 2 g

外形図

外形図

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