量産中

2SK4161D

パッケージ図

パッケージ名:TO3P-3L

3D CADデータ

シリコンNチャネル型MOSFET

特長

    低オン抵抗

アプリケーション

    車載電動パワーステアリング(EPS)

主要特性

VDS 60 V
VGSS ±20 V
ID (-) A
ID (+) 100 A
ID(PULSE) 200 A
PD 132.0 W
VTH (min.) 3.25 V
VTH (max.) 3.95 V
Ciss 10000 pF
Crss 730 pF
RDS(ON) (typ.) 3.8 mΩ
RDS(ON) (max.) 4.8 mΩ
極性 Nch
RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V)
RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V)
Coss 1000 pF
Qg nC
Qg(VGS=4.5) nC
trr1 80.0 ns
質量 (Typ.) 6 g

外形図

外形図

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