量産中

FKP252

パッケージ図

パッケージ名:TO220F-3L

3D CADデータ

シリコンNチャネル型MOSFET

特長

    ・中耐圧品
    ・低ゲート入力容量
    ・低ゲート入力電荷量
    ・高速スイッチング

アプリケーション

    ・モータ駆動用
    ・インバータ用

主要特性

VDS 250 V
VGSS ±30 V
ID (-) -25 A
ID (+) 25 A
ID(PULSE) A
PD 40.0 W
VTH (min.) 3.00 V
VTH (max.) 4.50 V
Ciss 2000 pF
Crss 70 pF
RDS(ON) (typ.) 68.0 mΩ
RDS(ON) (max.) 75.0 mΩ
極性 Nch
RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V)
RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V)
Coss pF
Qg nC
Qg(VGS=4.5) nC
trr1 ns
質量 (Typ.) 2 g

外形図

外形図

製品のお問い合わせやご相談はこちら

ご希望の製品がラインアップから見つからない場合もお気軽にお問い合わせください。