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MN611S

データシート(706KB)


パッケージ図

パッケージ名：TO220S-2L

シリコンNPNトランジスタ

特長

    ・低VCE(sat)
    ・C-B間ツェナーDi内蔵

アプリケーション

    ・インジェクタ－

主要特性

用途 汎用
VCBO 115 V
VCEO 115 V
IC (-) -6 A
IC (+) 6 A
PC 50.0 W
hFE (min.) 400
hFE (max.) 1500
hFE条件 VCE 1 V
hFE条件 IC 0.5 A
VCE(SAT) (max.) 0.12 V
コンプリメンタリ
極性 NPN
クランプダイオード 有
チップ区分 シングル
質量 (Typ.) g

外形図

外形図

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