新規設計非推奨

SSD103

データシート(702KB)


パッケージ図

パッケージ名：SOP8

3D CADデータ

シリコンNPNトランジスタ

特長

    ・低VCE（sat）
    ・C-B間ツェナーDi内蔵
    ・高hFE

アプリケーション

    ・インジェクタ－

主要特性

用途 汎用
VCBO 65 V
VCEO 65 V
IC (-) A
IC (+) 6 A
PC 1.5 W
hFE (min.) 400
hFE (max.) 1500
hFE条件 VCE 1 V
hFE条件 IC 1.0 A
VCE(SAT) (max.) 0.15 V
コンプリメンタリ
極性 NPN
クランプダイオード 有
チップ区分 シングル
質量 (Typ.) g

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