新規設計不推荐

[ 代产品 : FKV550N]

EKV550

封装图

封装名:TO220-3L

硅 N 通道型 MOSFET

特性

    ・栅极输入电容容量低
    ・栅极输入电荷量低
    ・开关速度快

应用

    ・用于DC/DC变换器

主要规格

VDS 50 V
VGSS ±20 V
ID (-) -50 A
ID (+) 50 A
ID(PULSE) A
PD 85.00 W
VTH (min.) 3.00 V
VTH (max.) 4.20 V
Ciss 2000 pF
Crss 500 pF
RDS(ON) (typ.) 12.0 mΩ
RDS(ON) (max.) 15.0 mΩ
极性 Nch
RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V)
RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V)
Coss pF
Qg nC
Qg(VGS=4.5) nC
trr1 ns
质量 (Typ.) g

外形图

外形图

点击此处查看产品查询和咨询

如果您从阵容中找不到所需的产品,请随时与我们联系。