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NR111E

封装图

封装名:eSOIC8

NR110E系列为内置功率MOSFET的降压型开关稳定器IC。采用电流控制方式,支持超低ESR陶瓷电容。具有过电流保护(OCP),欠压动作保护(UVLO),过热保护(TSD)等保护功能。具有可从外部调整的软启动功能,以防止启动时的冲击电流。从外部向EN引脚输入信号,来开启和关闭IC。具有轻负载时效率改善功能。内置相位补偿电路,无需外接相位补偿元件。采用小型薄型SOIC 8引脚封装,内侧带有散热片。

特性

    • 最大效率94%
      轻负载时最大效率68%
      (VIN = 12 V、Vo = 5 V、Io = 20 mA)
    • 电流模式PWM控制
    • 输出电容可采用超低ESR陶瓷电容
    • 内置相位补偿电路 无需外接元件
    • 软启动功能
      外置电容进行时间调整
    • 使能功能
    • 保护功能
      过电流保护(OCP):垂下型自动恢复
      内置过热保护(TSD):自动恢复
      低压输入时误动作防止电路(UVLO)

应用

    • AV设备
    • 辅助电源

主要规格

功率器件 MOS内置
输出方式 可变
输出电压 24.0 V
输出电流 4.0 A
输入电压范围 8.0 ~31 V
振荡频率 350 kHz
同步/异步 非同步
电流模式控制 YES
最大输入电压 31.00 V
输出开/关
支持低ESR电容器 YES
过电流保护特性 垂下型
相位补偿 内置
过热保护
UVLO
质量 (Typ.) 0.08 g

典型电路示例

典型电路示例

内部框图

内部框图

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