产品中止

FGF65A4L

封装图

封装名 : TO3PF-3L

RoHS : YES

规格书(1.3MB)
网上销售库存查询

FGF65A4L是650V Field Stop型的垂直沟道工艺的IGBT。
采用了独特的垂直构造减少了寄生容量，既实现低饱和压降，又减少了开关损耗。
IGBT的低损耗可以实现整机设备的高效率。

资料下载

特性

    ・低饱和电压
    ・高速开关
    ・内置FRD
    ・符合RoHS指令

应用

・不间断电源系统(UPS)
・变频电路)
・桥电路

主要规格

VCES 650 V
IC 20 A
PD 72 W
VCE(SAT) (typ.) 1.60 V
VCE(SAT) (max.) 1.96 V
Qg 75.00 nC
极性 NPN
二极管内置 YES
VF 1.7 V
trr 60.00 ns
质量 (Typ.)
车载品对应 NO

备注

650V Field Stop IGBTs
Suffix
H: High speed
L: Low saturation voltage

外形图

外形图

点击此处查看产品查询和咨询

如果您从阵容中找不到所需的产品，请随时与我们联系。