量産中

NR119E

パッケージ図

パッケージ名:eSOIC8

NR110E シリーズは、パワーMOSFET を内蔵し た降圧スイッチングレギュレータ IC です。電流制 御方式により、セラミックコンデンサのような超 低 ESR のコンデンサに対応します。過電流保護 (OCP)、低入力禁止(UVLO)、過熱保護(TSD) 等の保護機能を有しています。起動時の突入電流 を防ぐために、外部調整可能なソフトスタート機 能を有しています。また、イネーブル機能を有し ており、EN 端子に外部から信号を入力することで、 IC をターンオン/ターンオフできます。位相補償 回路を内蔵し、外付けの位相補償用部品は不要で す。裏面ヒートスラグ付きの小型薄型の面実装 eSOIC8 パッケージを採用しております。

特長

    • 最大効率94%
      軽負荷時の最大効率68%
      (VIN = 12 V、Vo = 5 V、Io = 20 mA)
    • 電流モード型PWM制御
    • 出力にセラミックコンデンサのような低ESRコンデンサの使用に対応
    • 位相補償回路を内蔵 外付け部品不要
    • ソフトスタート機能
      外付けコンデンサで時間調整可能
    • イネーブル機能
    • 保護機能
      過電流保護(OCP):垂下型自動復帰
      過熱保護内蔵(TSD):自動復帰
      低入力時誤動作防止回路(UVLO)

アプリケーション

    • AV 機器
    • 補助電源

主要特性

タイプ パワーIC
出力方式 可変
最大出力電圧 24.0 V
最大出力電流 2.0 A
入力電圧範囲 8.0 ~31 V
動作周波数 364 kHz
同期/ 非同期 非同期
電流モード制御 YES
最大入力電圧 31.00 V
出力ON/OFF
低ESRコンデンサ対応 YES
過電流保護特性 垂下型
位相補償 内蔵
過熱保護
UVLO
質量 (Typ.) 0.08 g

応用回路例

応用回路例

ブロックダイアグラム

ブロックダイアグラム

製品のお問い合わせやご相談はこちら

ご希望の製品がラインアップから見つからない場合もお気軽にお問い合わせください。