パッケージ名 : TO220-3L
RoHS : YES
シリコンNチャネル型MOSFET
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設計サポート
特長
- ・ゲート入力容量が低い
・ゲート入力電荷量が低い
・スイッチングスピードが速い
アプリケーション
・DC-DCコンバータ用主要特性
| VDS | 50 V |
|---|---|
| VGSS | ±20 V |
| ID (－) | -50 A |
| ID (＋) | 50 A |
| ID(PULSE) | |
| PD | 85.0 W |
| VTH (min.) | 3.00 V |
| VTH (max.) | 4.20 V |
| Ciss | 2000 pF |
| Crss | 500 pF |
| RDS(ON) (typ.) | 12.0 mΩ |
| RDS(ON) (max.) | 15.0 mΩ |
| 極性 | Nch |
| RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V) | |
| RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V) | |
| Coss | |
| Qg | |
| Qg(VGS=4.5) | |
| trr1 | |
| 質量 (Typ.) | |
| 電装品対応 | NO |
外形図
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