量産中
FKV550N
パッケージ名 : TO220F-3L
RoHS : YES
50V, 50A
シリコンNチャネル型ゲート保護ダイオード内蔵MOSFET
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設計サポート
特長
- ・大電流
・低RDS(ON)
アプリケーション
・DC/DCコンバータ・同期整流
主要特性
VDS | 50 V |
---|---|
VGSS | ±20 V |
ID (-) | |
ID (+) | 50 A |
ID(PULSE) | 150 A |
PD | 35.0 W |
VTH (min.) | 3.00 V |
VTH (max.) | 4.20 V |
Ciss | 2000 pF |
Crss | 500 pF |
RDS(ON) (typ.) | 12.0 mΩ |
RDS(ON) (max.) | 15.0 mΩ |
極性 | Nch |
RDS(ON) (typ.) (VGS=4.5V) | |
RDS(ON) (max.) (VGS=4.5V) | |
Coss | 1200 pF |
Qg | |
Qg(VGS=4.5) | |
trr1 | |
質量 (Typ.) | 2 g |
電装品対応 | NO |
外形図
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