SHD4115は4つのNチャネルパワーMOSFETを小型HSONパッケージに内蔵しています。パワーMOSFETのゲート–ソース間には、ツェナーダイオードが内蔵されており、インジェクションコイルの駆動回路において、ゲート–ソース間に外付けのクランプ回路が不要です。高放熱パッケージの採用により、優れた放熱性を実現します。
基板実装時の信頼性を向上させるため、端子の先端がメッキされたウェッタブルフランク構造を採用し、さらに端子周辺の樹脂を加工しています。